集成高性能MCU
内置64KB 程序存储器FLASH
2KB 数据存储器（SRAM）
模拟特性
集成恒压补偿环路（CV loop）
集成恒流补偿环路（CC loop）、
集成NMOS ChargePump 驱动电路
内置VBUS 和VC 引脚快速放电电路
内置线路阻抗补偿
内阻12-bit 高精度ADC
内阻NTC 检测电路
CMOS 技术
电压工作范围：3.0V~25V
工作温度范围
-环境温度： -40~105 ºC;
低功耗特性
MCU 工作电流
-正常模式6mA
-休眠模式0.5mA
